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      一、HSFET-DL版MOSFET芯片
      芯片規格 漏擊穿電壓 連續漏極電流 門極閾值電壓 飽和漏極電流 柵源漏電流 靜態導通電阻 源漏正向壓降

      V A V nA nA Ω V
      HS6N40D3L 430 6 2.0-4.0 100 ±90 1.15 0.9
      HS11N40D3L 430 11 2.0-4.0 100 ±90
      0.595 0.9
      HS11N40D2L 430 11 2.0-4.0 100 ±90
      0.535 0.9
      HS5N50D3L 500 5 2.0-4.0 100 ±90
      1.7 0.9
      HS8N50D3L 500 8 2.0-4.0 100 ±90
      0.95 0.9
      HS8N50D2L 500 8 2.0-4.0 100 ±90
      0.89 0.9
      HS10N50D2L 500 10 2.0-4.0 200 ±90
      0.7 0.9
      HS13N50D2L 500 13 2.0-4.0 200 ±90
      0.55 0.9
      HS16N50D2V 500 16 3.0-5.0 200 ±90
      0.445 0.9
      HS18N50D2V 500 18 3.0-5.0 200 ±90
      0.36 0.9
      HS20N50D2V 500 20 3.0-5.0 300 ±90
      0.32 0.9
      HS4N65D3L 650 4 2.0-4.0 100 ±90
      2.6 0.9
      HS5N65D3L 650 5 2.0-4.0 100 ±90
      2.6 0.9
      HS7N65D3L 650 7 2.0-4.0 100 ±90
      1.3 0.9
      HS8N65D3L 650 8 2.0-4.0 100 ±90
      1.3 0.9
      HS7N65D2L 650 7 2.0-4.0 100 ±90
      1.2 0.9
      HS8N65D2L 650 8 2.0-4.0 100 ±90
      1.2 0.9
      HS9N65D2L 650 9 2.0-4.0 200 ±90
      1.0 0.9
      HS10N65D2L 650 10 2.0-4.0 200 ±90
      0.735 0.9
      HS12N67D2L 670 12 2.0-4.0 200 ±90
      0.83 0.9
      HS14N67D2L 670 14 2.0-4.0 200 ±90
      0.7 0.9
      HS16N67D2V 670 16 3.0-5.0 200 ±90
      0.54 0.9
      HS18N67D3V 670 18 3.0-5.0 200 ±90
      0.5 0.9
      HS20N67D3V 670 20 3.0-5.0 300 ±90
      0.48 0.9


      二、HSFET-C2版MOSFET芯片

      芯片規格 漏擊穿電壓 連續漏極電流 門極閾值電壓 飽和漏極電流 柵源漏電流 靜態導通電阻 源漏正向壓降

      V A V nA nA Ω V
      HS8N50C2 500 8 2.0-4.0 100 ±90 0.95 0.9
      HS13N50C2 500 13 2.0-4.0 200 ±90
      0.58 0.9
      HS16N50C2 500 16 3.0-5.0 200 ±90
      0.445 0.9
      HS18N50C2 500 18 3.0-5.0 200 ±90
      0.365 0.9
      HS20N50C2 500
      20 2.0-4.0 300 ±90
      0.32 0.9
      HS24N50C2 500 24 2.0-4.0 300 ±90
      0.28 0.9
      HS4N60C2 600 4 2.0-4.0 100 ±90
      2.5 0.9
      HS5N60C2 600 4.5 2.0-4.0 100 ±90
      2.5 0.9
      HS7N60C2 600 7 2.0-4.0 100 ±90
      1.34 0.9
      HS8N60C2 600 7.5 2.0-4.0 100 ±90
      1.34 0.9
      HS10N60C2 600 10 2.0-4.0 150 ±90
      0.785 0.9
      HS12N60C2 600 12 2.0-4.0 200 ±90
      0.65 0.9
      HS4N65C2 650 4 2.0-4.0 100 ±90
      3.0 0.9
      HS5N65C2 650 4.5 2.0-4.0 100 ±90 3.0 0.9
      HS7N65C2 650 7 2.0-4.0 100 ±90
      1.4 0.9
      HS8N65C2 650 7.5 2.0-4.0 100 ±90 1.4 0.9
      HS10N65C2 650 10 2.0-4.0 150 ±90
      0.85 0.9
      HS12N65C2 650 12 2.0-4.0 200 ±90
      0.75 0.9
      HS10N70C2 700 10 2.0-4.0 200 ±90
      0.92 0.9
      HS12N70C2 700 12 2.0-4.0 200 ±90
      0.8 0.9
      HS7N80C2 800 7 3.0-5.0 300 ±90
      1.9 0.9
      HS9N90C2 900 9 2.0-4.0 300 ±90
      1.5 0.9
      注1:背面金屬為銀,表面金屬為鋁。

      注2:產品參數及規格可根據客戶要求定制。

      • 電話:13705597336
        電話:13956270661
      • 黃山芯微電子股份有限公司
        地址:安徽省黃山市祁門縣新興路449號
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